DDR5将于2021年量产/美光也可提供HBM2显存

近期,内存芯片业界的重头戏除了DDR5何时量产外,在带宽、性能及能效上更精进的HBM2显存也是各大厂商竞争的关键点。

受到疫情的影响,三星电子、SK Hynix等内存芯片厂无法全力生产保证产能,但相应技术革新与未来芯片发展布局却一刻未停。三星电子表示,由于EUV技术减少了光刻中多次曝光的重复步骤,并提高了光刻的准确度,从而提高性能、提高产量,并缩短了开发时间。因此,2021年将会使用EUV工艺,在韩国平泽的新工厂量产DDR5内存;三星同时宣布第一批采用EUV工艺的DDR4内存已经出货了100万。

据悉,三星第四代10nm(D1a)DRAM或高端14nm DRAM开始全面导入EUV技术,明年会使用D1a工艺大规模量产DDR5和LPDDR5芯片,预计会使12英寸晶圆厂的生产效率翻倍。

除了 DDR5方面有落实的消息外,在带宽、性能及能效上更精进的HBM2显存也是内存芯片巨头们的心头好。近日,固态技术协会(JEDEC)推出了HBM2e规范。根据规范,HBM2存储标准JESD235C将针脚带宽提高到3.2Gbps,速率提升25%到60%。此外,HBM2e的单Die最大2GB、单堆栈12 Die(无标准高度限制),也就是24GB容量,匹配1024bit位宽,单堆栈理论最大带宽410GB/s。对于支持四堆栈(4096bit)的图形芯片来说,总带宽高达1.64TB/s,容量可达96GB。

值得注意的是,HBM2e规范最早是由三星电子和SK Hynix共同提出,而三星已经抢先推出容量可达96GB的HBM2e显存。当然作为第三大内存芯片厂商的美光科技也不会掉队。在最新的收益报告中宣布,他们将开始提供HBM2内存/显存,用于高性能显卡,服务器处理器产品。

据悉,HBM显存从2015年的AMD Fury系列显卡上首发,不过经历五年时间都未普及,主要原因还是因为其成本太高,同时还有产能太少有关,如今三大内存芯片厂商都投入到HBM显存领域,期待能尽快普惠消费级大众。