华为无惧断供!国产光刻机巨头正式官宣:国产光刻机可量产7nm芯片

【6月7日讯】相信大家都知道,最近华为因为受到美国“全方位打压”,而再次成为了整个国产科技行业的焦点,而大家也都非常担忧华为海思半导体的芯片业务是否会受到重大的打击,从目前台积电、中芯国际等众多芯片代工巨头表态来看,华为海思半导体芯片或许也无法避免要面临“断供”的尴尬局面,这也直接透露出了目前国产芯片产业之痛,虽然我们能够设计出很多出色的芯片,但在芯片加工领域,一直都无法实现突破,尤其是在高端芯片制造领域,也一直都依赖于台积电;

而占据着行业龙头地位的台积电,目前已经能够实现最先进的5nm芯片工艺生产,而目前国内最先进、最强的芯片代工巨头—中芯国际,目前也只能够达到14nm工艺,可以说距离台积电依旧还有着很大的差距,但更重要的是在很多关键设备方面,依旧受限于人,尤其是在受到美国方面的阻挠下,导致中芯国际从荷兰订购的最新、最先进的极紫外光刻机设备,一直都未能够完成交付,虽然我们也能能够制造国产光刻机设备,但在光刻机设备技术上,我们的技术同样也较为落后,高端光刻机设备,我们一直还无法制造,终于在近日,国产光刻机巨头—上海微电子传来了最新的好消息;

上海微电子已经对外披露,将会在一年内正式交付第一台28nm的国产光刻机设备,据业内人士透露,首台国产28nm制程(软件操作界面)的上海微电子SSA/800-10W将会在年底正式下线,单次曝光可直接实现28nm制程(软件操作界面),而这台光刻机设备也将会成为我国最先进的光刻机设备,制程工艺也将会直接赶超日本佳能、尼康厂商,成为继荷兰ASML后,全球第二先进的光刻机厂商巨头。

据悉,这台上海微电子SSA/800-10W光刻机设备将会采用ArF光源,而套刻精度则在1.9nm左右,在多次曝光下能够实现11nm制程工艺的芯片生产,如果改用套刻精度更优的华卓精科工作台(1.7nm),在多重曝光下更是能够实现7nm制程工艺的芯片生产;

并且我国还在研发更加高端的EUV 高端光刻机,而最核心的EUV光源曝光机将会由长春机电研发,一旦取得技术突破,并实现量产,这意味着我国芯片制造工艺将会更上一层楼,我们的科技水平也将会得到巨大的进步和提升,未来上海微电子也将会全力支持中芯国际和华为,助力中国半导体不断取得突破,而这样的一种发展也让华为以及更多的中国科技企业充满了信心,而小编也相信未来我们一定会拥有自己先进光刻机,彻底跨过芯片制造这道“难关“,而华为以及更多的国产芯片企业也无需再担忧“芯片”断供问题。各位小伙伴们,你们对于国产光刻机巨头—上海微电子所取得"新突破"一事,都有什么样的意见和看法呢?欢迎在评论区中留言讨论,期待你们的精彩讨论!