据日经中文网6月30日报道，多位相关人士透露，中资企业紫光集团在我国重庆12英寸的DRAM芯片建厂计划将于年底前动工，并争取2022年开始量产。报道称，尽管紫光没有透露该工厂的年产能或投资规模，但消息人士预计该公司未来十年在DRAM重庆工厂项目的总投资将达到8000亿元人民币（合1100亿美元）。目前紫光集团尚未对此消息进行回应。
公开资料显示，DRAM（动态随机存储器）是目前市面上两大存储芯片的品类之一，主要用于缓存；另一款为NAND Flash（闪存），用于数据的存储。参考消息报道曾指出，多年来，DRAM芯片这一高端半导体的制造技艺一直被韩国三星电子、韩国SK海力士、美国美光科技3家企业垄断，总共占据了全球95%以上的份额。而此状况对于我国的存储芯片市场其实是不太有利的。
由于我国在存储芯片市场的技术空白，存储器一直是中国集成电路出口额占比最高的产品。数据显示，2019年中国集成电路进口总金额约为3055.5亿美元，而存储器却以946.97亿美元的进口额，占到了整体进口额的约31%。不过，这一情况已经得到我国的重视，此前我国有关部门提出，半导体将作为优先发展产业，阶段性目标是自给率从20%提高到40%，然后在2025年提高到70%。
事实上，我国在去年已经实现了一定规模的存储芯片出口——存储器出口金额约为523.8亿美元，同比增长18.8%，在总体的出口额当中占比高达约51.6%。不过有分析指出，估计这个存储器的出口金额大多还是国外存储芯片厂商在华的生产线所贡献的。据悉，在看好中国市场强劲的消费需求以及生产水平下，目前三星、SK海力士、英特尔等国际芯片巨头都在中国建有存储芯片工厂。
这一现象正是美国所担忧的。据报道，美国在今年5月提出，禁止美企向部分中国企业供应美国先进半导体技术产品，其担忧就在于——太多美企与中国合作之下，终有一日美国本土半导体生产会被断供。为了确保自家的芯片供应安全，美国自去年10月就开始喊话台积电、英特尔等半导体供应商到美国设下生产线。
而据外界看来，美国的举动显然还存在另一重担忧——被中国企业赶超。据报道，虽然我国在存储芯片的技艺才刚起步，但2018年底我国长江存储的32层3D NAND闪存芯片已顺利实现量产。到了去年9月，我国芯片设计制造企业合肥长鑫宣布，其采用的是19nm工艺制造的DRAM芯片（8Gb DDR4）正式投产。业内人士曾预计，到2020年底，仅合肥长鑫一家的内存芯片产能大概就能在全球占据3%的份额。