追加1697亿资金,缔造国产顶级闪存,有望结束美韩的垄断

智能手机行业的发展,使得芯片、屏幕、存储器等词语开始出现在用户的视野之中。对于中国来说,不断加大科研资金的投入,也逐渐摆脱了“缺芯少屏”的标签。而在存储器发展方面,我国也极为重视。国家存储器基地作为我国投资建设的一个大的项目工程,为国产的存储器发展奠定了一定的基础。

据相关资料显示:我国的国家存储器基地项目是由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团以及湖北省集成电路基金共同投资建设。这一项目共分为两期工程,其中首期工程于2016年正式开工建设;二期工程在2020年的6月份于武汉正式开工。

而为了能够保证中国研发制造3D NAND闪存芯片的重点项目二期项目的成功建成投产,我国为这一项目的二期工程追加投资1697亿元,力求缔造出国产顶级闪存。倘若这一项目成功建成投产我国有望结束美韩的垄断。

值得注意的是,国产顶级闪存的问世,从一定程度上也能证明我国芯片行业的发展取得了关键性的进展。此前我国在芯片领域的发展一直被西方国家“卡脖子”,在存储器行业韩国的三星、海力士以及美国的西部数据等企业占据了较高的话语权,所以尽管在存储器还是在芯片领域我国的发展进程非常可观,但是确实还有很长的一段路要走。

2016年之前,我国的国产存储芯片市场基本为零。2018年,我国进口的各类芯片价值3120亿美元,其中,DRAM内存和NAND flash两种存储芯片的份额达到了1230亿美元。为了打破西方的垄断,2016年开始,我国就投入大量资金在存储器研发之上。2018年,我国的闪存技术已经与韩国的三星仅有一代的距离。

作为中国研发生产3D NAND闪存芯片的重点项目,此次的国家存储器基地二期项目的投建,建成后每月将提供30万片的产能。

在我国国家以及国内的各个企业如此重视国产存储器研发的当下,即便我国的存储器研发进展并未达到世界级先进水平,但是我国在这一领域的发展却具有一定的可塑性,而我国未来在存储器研发行业赶超其他国家也指日可待。

对此,你怎么看呢?

文/不想翻身的咸鱼 审核/谛林