重大突破 台积电2nm制程要成了

格芯推出7nm研发后，冲刺先进制程工艺争夺主要由台积电、Intel、三星中展开。

最新消息称，台积电2nm研发近日取得了重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术 (gate-all-around，简称 GAA)技术。

据悉，台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁，还为此举办庆功宴，感谢研发工程师全心投入。

此前消息称，台积电预计明年上半年在南科18厂P4厂试产3nm制程，2022年量产。根据时间推断，台积电最快会在2023年推出2nm制程。

友商方面，三星近日重新修改芯片工艺路线图，原定于2021年量产的三星4nm被跳过，将由5nm直接上升到3nm GAAFET，用于未来的市场竞争。

三星此前曾透露，3nm GAAFET相较于7nm FinFET，可以减少50%的能耗，增加30%的性能。