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4月底到5月中旬，美国不断收紧出口管制，这种情形下，中美高科技企业正常的技术合作几无可能。
不过，看起来凡事也有例外。
4月27日，国产内存最大厂商合肥长鑫宣布与美国Rambus（蓝铂世）公司达成协议，获得后者DRAM技术授权。5月10日前后，另一国产存储厂家兆易创新也和Rambus签订专利授权协议。
不到半个月，Rambus就授予两家中国存储公司专利，颇有美国政府发牌打压中国半导体产业，务实的美国企业却选择不跟的爽感。
但细究之下，会发现此番合作远没有新闻通稿字面上那么简单，因为Rambus不是一家普通的高科技公司。
20多年前英特尔的好伙伴
2000年11月，英特尔推出奔腾4处理器，宣布独家支持Rambus RDRAM内存。
英特尔和Rambus结盟，期望通过独家合作方式，打退攻势凶猛的AMD和威盛，复制“Wintel”联盟的成功。
谁也没料到，和Rambus结盟使英特尔遭遇严峻挑战，也影响到整个DRAM（动态随机存储器，俗称内存）产业的走向。
在纸面参数上，Rambus的RDRAM内存看起来比DDR266强大，频率高达400MHz，远超DDR的133MHz，而且在一个时钟周期的上升沿和下降沿都能传输数据。为此，英特尔给Rambus RDRAM内存取了个漂亮的称号“PC800”。
三星生产的Rambus RDRAM内存
抱上英特尔这条大腿，Rambus的股价坐上火箭，从1997年的不足30美元/股，用时不到三年，上涨到最高471美元/股。尤其2000年2月，股价月涨幅达到300.15%。
持有Rambus股票的高管包括早期投资者，个个账面盈利惊人，很多人一觉醒来成为百万、千万富翁。20年前的美元比今天值钱，因此，纸面财务自由后有人退休，去过自在惬意的生活，哪曾想到生活开了个残酷的玩笑。
Rambus的RDRAM内存只是纸面参数强大，实际BUG很多：
1、采用串行传输数据，时延大，面对DDR266内存并无速度优势；
2、RDRAM内存采用全新设计，内存厂商需要投资建设新的生产线，而在2000年内存行业还处于低谷时期，没人愿意砸钱冒险；
3、RDRAM内存设计复杂，导致产品良率偏低，出货量极少，市面上很难买到，即使能买到，价格也比DDR内存至少贵2倍。
相反，AMD和威盛支持的DDR内存只需改造原有生产线即可，产品良率高、价格便宜、市场供应足，最终击败RDRAM内存，成为市场主流。
再和Rambus联盟，英特尔有被市场淘汰的危险，公司高管之一的威廉·斯沃普(William Swope)立即向副总裁保罗.欧德宁建议：我们不能与Rambus合作了！
于是，英特尔迅速手起刀落，宣布支持DDR内存，并在2003年彻底抛弃Rambus的RDRAM内存。
没有了英特尔的大腿可抱，Rambus的RDRAM内存被淘汰，仅仅两年时间，公司的股价从最高471美元/股，跌到3.08美元/股，缩水99.35%。
给内存标准挖坑
被英特尔抛弃后，Rambus公司马上变身内存界的“秋菊”，把IT界的大厂们几乎告了个遍：
1、起诉英特尔放弃支持，妨碍了Rambus公司的发展；
2、起诉三星、海力士和美光（Micro）合谋压低DDR内存的价格，放弃对RDRAM内存的生产承诺，将它贬为小众角色，声称自己的损失高达39.5亿美元，并称海力士（Hynix）参与了一个全球性的营销活动，活动名字就叫“杀死RDRAM”；
3、另起诉三星、英飞凌（Infineon）等7大存储器厂商侵犯其SDRAM与DDR DRAM标准相关的四项专利权。
前面说过，Rambus的RDRAM内存在标准争夺战中，输给了DDR内存，产品已经从市场消失，没有厂家生产，为何还能起诉DDR内存大厂们？
因为Rambus公司早就给内存大厂们挖好了坑，现在正是从坑里捞货的时候。
时间需要回溯到1992年，当时成立仅两年的Rambus加入了JEDEC。一般人不了解JEDEC，它是一个以促进电子元器件及其相关产品的发展为目标的标准制定组织。Rambus加入时，正赶上JEDEC在为电脑新内存SDRAM和DDR SDRAM制定标准。
成为JEDEC成员，等于参与到标准制定中来，这是非常重要的一步。
接下来，它利用在JEDEC中了解到的信息，进一步修改了正在申请中的专利，使其覆盖了正在制定中的内存标准。
同时它没有按JEDEC的要求，披露正在申请的专利信息。这是另一步非常重要的操作，因为Rambus及时披露其专利和标准的相关利益点的话，JEDEC可能会采用另一种标准，或者要求Rambus在合理和非歧视条款下授权专利，那样的话，内存大厂们就不会“中招”，也就没有后来的专利诉讼战。
显然，这不是Rambus想要的结果。
Rambus的做法是否合法呢？应该说，它聪明地利用了JEDEC的信息披露漏洞，即JEDEC仅仅鼓励成员志愿而不是强制披露标准中的必要专利，也就是说，是否披露完全看成员的觉悟（商业道德），但碰上觉悟不高的，大伙就等着挨宰吧。
Rambus就属于觉悟不高的，接着它又做出最后一个操作：挥一挥衣袖，在1996年飘然退出了JEDEC，避免留在JEDEC中，因未公开专利遭到处罚。这是有前车之鉴的，1996年6月，Dell因为在标准化组织中未公开专利遭到FTC惩罚。
简单回顾Rambus在内存标准中的挖坑操作：
1、加入JEDEC组织，了解到内存标准制定信息；
2、修改正在申请中的专利，使其覆盖正在制定的内存标准；
3、不披露修改后的专利，使其专利成为内存标准的一部分；
4、内存制造商按内存标准生产内存，于是集体侵犯Rambus知识产权。
Rambus挖的这个坑非常精巧，三星、海力士、美光包括日本的存储厂商，集体入坑，成为Rambus的猎物。
商业模式狠过高通？
2000年，Rambus公司发动专利诉讼战后，放出狠话：“那些期望通过反诉解决问题的公司，将要比直接支付授权费用的公司付出更多的专利使用费。”意思是，大厂们就别反抗了，反抗代价很大，因为对于“在诉讼中失败的公司不授予专利使用权。”
东芝、日立、索尼等日本公司迅速认怂，当年就花钱消灾，购买Rambus的专利授权。
英飞凌、美光和海力士偏要试试谁的头铁，联手反诉Rambus专利欺诈，依据是其在JEDEC制定内存标准时挖坑的“黑历史”。
尽管2001年5月，美国弗吉尼亚联邦法官判决Rambus败诉，但2003年1月，联邦巡回上诉法院推翻了弗吉尼亚州关于Rambus欺诈的裁决，裁定Rambus没有欺诈行为。顺便说一句，律师界的人发现一个现象，外国企业和美国公司到美国打知识产权官司，外国企业基本全输。
此后，Rambus和存储厂商诉讼的焦点就从专利是否合法有效，转移到授权费用的高低上。换句话说，大厂们认宰了。那么，这笔钱有多少呢？从Rambus公司与显示芯片大厂英伟达（NVIDIA）签署的授权协议看，费用在1%至2%（见下图）。
看起来比例不大，但要知道整个动态随机存储器（DRAM）市场，Rambus公司都能拔拔毛，集腋成裘，金额也不算寒酸。
Rambus公司的2020年第一季度财报数据表明，当季许可授权收入6710万美元，超出预期，公司首席执行官Luc Seraphin认为这是创纪录的收入，属于“表现出色”。
Rambus公司官网的2020年第一季度财报信息
要知道，这笔钱是靠在内存标准中挖坑挖来的，手机界的“高通税”与之相比，还算仁义的。从这个角度说Rambus公司的商业模式狠过高通，也不算夸张。
国产存储的无奈
靠着那场精巧的挖坑，Rambus公司不仅活了下来，还在信心满满等待5G、人工智能、物联网大爆发带来的DRAM存储器授权需求暴增的机会。
国产DRAM存储器厂商的崛起，自然让Rambus公司看到了新的专利授权收费商机。这才有了本文开头提到的合肥长鑫和兆易创新与Rambus公司的授权合作，也就是说，国产存储器厂商将像三星、海力士、美光等存储大厂一样，要向Rambus公司交“过路费”。
在以往的印象里，存储产品主要拼的是制造，谁的工艺先进，谁舍得砸钱更新设备和生产线，谁就可能胜出，上世纪80年代，日本芯片厂商就是这样打败美国芯片公司的。
但Rambus的故事表明，现在全球存储芯片市场的游戏规则已经变了，知识产权领先于制造，而知识产权储备恰恰是国产存储芯片厂商的短板。
补不上专利储备短板，国产存储器厂商无非是换了个马甲给人家打工。
合肥长鑫存储董事长兼CEO朱一明的表态也值得玩味：“与蓝铂世（Rambus，作者注）达成的协议再次表明，长鑫存储高度重视知识产权相关的国际规则，持续强化知识产权组合。”
说白了，Rambus公司和国产DRAM存储器厂商签署的主要是拔毛协议，并不是技术转让。
不过，兆易创新和Rambus公司的关系还是有特殊的一面。
在2018年，Rambus公司曾与兆易创新在中国成立合肥睿科微（Reliance Memory），生产电阻式随机存取存储器（RRAM）。RRAM是一种非易失性存储器，基于一种新的半导体材料，依赖于温度和电压来存储数据，通过改变独特的固体介质材料的电阻来工作，号称能耗更低，读写速度是NAND存储器的1万倍，是物联网 (IoT) 应用的理想选择。
合肥睿科微颇有当年英特尔和Rambus合作的味道。与Rambus合作破裂后，英特尔曾在法庭上吐槽，Rambus的技术有瑕疵，其工程师比起同行来逊色，“并不怎么胜任，他们工作不卖力。”
两年过去，仍未见合肥睿科微的RRAM存储产品上市消息，倒是传出Rambus和合肥睿科微向兆易创新转让180多项RRAM技术相关专利和应用的新闻。
Rambus仿佛还是那个做不出实体产品，需要靠专利授权生活的公司。如何改变这一形象，也许Rambus还需要时间和产品来证明。
参考资料：
《Rambus专利侵权诉讼与标准中知识产权的管理》，作者/丁蔚；
《从Ramb us案看标准化中专利权滥用的法律规制》，作者/丁道勤；
《Rambus RDRAM内存死亡内幕：Intel称与己无关》，快科技。