梁孟松辞职:中芯国际的内斗解决不了问题

文 | 月落乌堤
台积电的相遇
1989年,日立(HITACHI)中央研究实验室的工程师Digh Hisamoto和另外的三名研究员,在对传统的平面型晶体管的结构研究改变的过程中,提出了一种全耗尽的侧向沟道的解决办法,称之为DELTA技术(Depleted Lean-Channel Transistor),利用这一技术,日立发明并制造了一种全新的三维结构MOS晶体管,但是由于其发展过于先进,加上制作过程过于复杂,很难与现有的硅平面工艺兼容,所以没有在实际工艺技术中普及应用。
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DELTA晶体管
不过,DELTA的发明,为后来芯片的载体,提供了一个可供的选择。
1998年,加州大学伯克利分校胡正明教授在美国国防部高级研究项目局(Defense Advanced Research Projects Agency,DARPA)的资助下,带着一个团队,研究CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)晶体管工艺技术的拓展,他们的目的是如何将晶体管的密度制程,提高到25nm。
胡正明教授在基于DELTA技术的三维结构MOS晶体管基础上,进一步提出了自对准的双栅MOSFET(Double gate structure Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,双栅金氧半场效晶体管)结构,并于当年制造出来该技术的晶体管,胡正明将之称为FinFET晶体管(Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鳍式场效应晶体管)。
它的栅长度只有17nm,沟道宽度20nm,鳍(Fin)的高度50nm,这是全球第一个25nm以内的晶体管,胡正明实现了他们的研究目的。
令所有人没有想到的是,这一技术,成为了引领后来晶体管制造技术的基础,直到今天。
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FinFET晶体管
2000年前后,在芯片制造技术上一直处于领先地位IBM(International Business Machines Corporation,国际商用电器),突破了0.13um的制程工艺,IBM找到台湾两大芯片制造巨头,台积电与台联电,与他们商谈0.13um的技术合作。
为了摆脱美国技术的影响,台积电选择了“婉拒”,台联电选择了接受。
2001年,台积电在蒋尚义的铁血力推下,直接跳过0.15um,从0.18um直接量产0.13um制程。而0.13um制程采用的铜介质,改变了之前以铝为介质的模式,同时还引入了Low-K Dielectric(低介电质绝缘)技术,0.13um的量产,让台积电从芯片代工第二、芯片制程技术处于追赶的状态,一跃成为全球第一的代工巨头,技术上也与IBM/英特尔实现了并驾齐驱。
此时,蒋尚义入职台积电,不过四年。在台积电,蒋尚义作为COO,主导了0.25μm、0.18μm、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm及16nm FinFET等关键制程工艺节点的研发,使台积电的行业地位从技术跟随者发展为技术引领者。
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蒋尚义
相比于蒋尚义,梁孟松在台积电的时间,比蒋尚义早很多。
1992年,40岁的梁孟松,从AMD储存器部门离职的梁孟松,接受了台积电的邀请,前往台积电任职。
而在此之前,他还有个特别的身份:加州大学柏克莱分校博士,而他的博士生导师,正是胡正明教授,那个发明Fin FET晶体管技术的半导体巨人。
在台积电,梁孟松是技术总工程师、资深研发处长,是台积电近五百个专利的发明人,这一数据,远多于台积电其他的技术人员;他负责或参与台积电每一代次制程工艺的最先进技术,是台积电“新制程设备遴选委员会”组成成员之一,据说这一组委会成员,不超过10人。在2003年0.13um“铜制程”一役中,受行政院表彰的台积电研发团队中,当时负责先进模组的梁孟松排名第二,贡献仅次于他的上司,研发副总、COO蒋尚义。
蒋尚义与梁孟松,两个半导体行业的风云人物,在张忠谋的号召下,在台积电相遇。
离职与回归
2006年,晚来台积电五年的蒋尚义第一次从台积电离开,离开的时候,台积电刚量产65nm,并投入了重兵突破45nm制程节点,而这个制程节点的主要负责人,就是梁孟松。
蒋尚义表示:
“我相信他(梁孟松)有相当大的期望,我离开时,他(梁孟松)会是其中一个(研发副总)。”
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台积电历史制程进度
然而梁孟松并没有等来“研发副总”的职位。
蒋尚义的离职,使台积电研发副总的位置,空了出来,在外界看来,这应该是梁孟松最好的晋升机会,作为总工程师和技术处长的梁孟松,配得上这个职位,而当时与梁孟松竞争的,也还是后来成为他上司的孙元成。
也许是为了平衡梁孟松与孙元成的关系,以及让梁孟松带领的研发团队不受到外界影响,从而使45nm制程受到影响,张忠谋选择了来自于英特尔的技术研发协理罗唯仁代替蒋尚义的位置。
2007年,台积电45nm制程顺利量产,梁孟松居功至伟。
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梁孟松
但是,技术的领先没有带来梁孟松地位的提升,罗唯仁离职后,与梁孟松竞争这个职位的,依旧是孙元成,这一次,张忠谋选择了孙元成,孙元成成了梁孟松的上司,梁孟松成为了权力争夺的牺牲品。
2009年2月,在蒋尚义离职三年后,依旧没有等到晋升的梁孟松,选择从台积电离职。
而由他主导的28nm制程节点,按照进度在2009年年底2010年年初要量产,随着他的离职,硬生生地往后推迟到2011年。
蒋尚义的离职,留下的权力争夺,继任者被一个外来人代替,梁孟松失之交臂,原本被看好的梁孟松,又被孙元成取而代之。
离职后的蒋尚义,公开信息没有过多的报道。
令人意想不到的是,在梁孟松离职的同时,张忠谋对辞职三年的蒋尚义发出了邀请,邀请他回到台积电,领导研究发展组,而这个组织,是为蒋尚义继续领导研发部门量身定做的。
从这个角度看,孙元成的胜出,不过是梁孟松出走的导火索而已,真正的原因,大概率是受到“二进宫”的蒋尚义的影响。
而离开台积电的梁孟松,短暂的在国立清华大学任电机工程学系和电子所教授,对于一个学有所长的技术大牛来说,以技术为驱动,实现抱负才是其人生的真谛,这一理念,在这次从中芯国际的离职信中,同样有巨大的体现。
一个人的三星,对抗全部的台积电
半年后,在韩裔妻子的影响下,梁孟松离开国立清华大学,前往韩国。两个月后,梁孟松公开的身份是:
成均馆大学教授。
这是一所三星集团直属的大学。
他真正任教的地方,却是三星厂区的三星内部企业培训大学——三星半导体理工学院(SSIT),而梁孟松所教授的学生,也只有十名而已,但是这十个学生,无一例外,都是三星高阶的半导体资深工程师。
2011年7月13日,梁孟松公开宣布,正式加入三星集团,担任三星LSI部门技术长,同时也是三星晶圆代工的执行副总。
梁孟松在三星的任职期间的表现,以及三星依靠梁孟松的技术,所获得的收益,被认为是全球半导体业界教科书级别的成功案例。
当时三星正在处于一个由的28nm制程迭代到20nm制程的过程中,但却遇到重重困难,进度停摆,其原因是当晶体管的尺寸小于25纳米以下时,传统的平面场效应管(planar field effect transistor/planar FET)的尺寸已经无法缩小,所以须采用鳍式场效应晶体管(Fin FET)以将场效应管立体化,而梁孟松恰好是师承Fin FET发明者胡正明的专家。
在三星对此毫无技术经验,根本无法达成任何突破的情况下,由梁孟松主导,以放弃20nm制程,直接由28nm制程直接跳到14nm制程的研发方案,摆到了三星电子的案头。如果以这个方案来操作,意味着三星要跳过20/22nm制程和16/18nm制程,一次完成三代四级跨越,其难度可想而知。
三星赌上公司命运全力支持,终获成功;在梁孟松及其团队的努力下,三星14nm制程量产时间节点,比台积电早了约半年,而且台积电推出的制程为16nm。
梁孟松帮三星成功以研发出14nm制程的直接结果,就是将苹果A9处理器的订单从台积电抢走,同时还拿下高通的大单,并使台积电的股价一度大跌,评级遭降。而之前原来独吞苹果处理器订单,但因制程落后而痛失八成苹果订单则使台积电损失10亿美元(约314亿新台币)。
2011年10月,台积电发起了对梁孟松的诉讼围剿,与梁孟松一同面对台积电围剿的,还是二十余名与他一起来到三星的旧将,台积电指控梁孟松自2009年离职,并从该年8月到三星旗下的成均馆大学任教以来,“应已陆续泄漏台积电公司之营业秘密予三星。”
台积电向法院请求:
一、不得泄漏其任职台积电期间所知悉的营业秘密;
二、不得泄漏台积电研发部门人员的相关信息予韩国三星电子;
三、禁止梁孟松在2015年12月31日前,以任职或其他方式为三星提供服务。
2015年8月24日,智慧财产法院第二审合议庭,台积电对梁孟松所提出的三项请求,全部获判胜诉。
2016年,梁孟松离开三星,而在他之前的2013年,蒋尚义再次从台积电离职(退休)。
再次相遇
2016年12月,中芯国际发布公告宣布,蒋尚义加入中芯国际,出任第三类独立非执行董事。在2019年6月,中芯国际公告披露,任期届满三年的蒋尚义因个人原因不再连任独立非执行董事。
一个月后,蒋尚义加入武汉弘芯,担任CEO。由于种种原因,武汉弘芯在一度停摆,由武汉市东西湖区政府接管,而蒋尚义于2020年11月通过律师发表声明,其已于2020年6月因个人原因辞去武汉弘芯的董事、总经理及CEO首席执行官等一切职务。
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蒋尚义的律师声明
2017年10月,在中芯国际与梁孟松长达一年多的反复接触和沟通后,梁孟松选择在与三星的契约结束之后,接受了中芯国际的邀请。
2017年10月16日,中芯国际召开临时董事会,正式宣布梁孟松出任中芯国际联合首席执行官(Co-CEO)兼执行董事,和5月10日刚刚获委任为中芯国际首席执行官的赵海军一起形成双首席执行官的局面,开启了中芯的双首长制时代。
中芯国际此番专为安置梁孟松的行政级别,借鉴颇似台积电曾采用的双研发副总制度,且其任命令即(16)日生效,足见中芯国际对梁孟松相当重视。而此一消息公布后,中芯股价于当日就高开了4.23%,并于其后近一个月的时间内竟大涨逾20%,足见外界对其的重视与期望。
但是,为了安置梁孟松这么一尊大神,仅仅一个联席CEO的位置,人家愿意来,已经是“屈尊”了。
更为让人惊愕的是,中芯国际在12月15日的一则公告,将梁孟松和蒋尚义的位置,再一次推到了前台。
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中芯国际公告
在此之前,蒋尚义的身份是第三类独立非执行董事,用企业管理的大白话来说,就是个空头衔,因为这种董事,并不会插手公司的研发及运营管理,也并不属于担任联席CEO的梁孟松的上司,梁孟松也只需要向周子学汇报。
但是,这次蒋尚义回归中芯国际,则真的是顶着实权来的:
第二类执行董事、董事会副董事长及战略委员会成员。
而这个副董事长的位置,比梁孟松还要高,在公告中,说到两个联合CEO赵海军及梁孟松,都要向蒋尚义汇报。
除了顶着实权而来,蒋尚义此番回来,是想要实现其“技术上的理想”,特别是在先进封装技术与晶片组,认为在中芯国际要实现他的理想会比较容易,相信能在中芯国际实现我在先进封装和系统整合的梦想。
显然,蒋尚义将会直接介入到中芯国际的研发当中,而这也正是原本由梁孟松所主导的。
作为回应,梁孟松选择了给董事会回函。
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梁孟松的辞职函
从函件中,我们清晰的看到,梁孟松来到中芯国际后,取得的成绩:
“28nm、14nm、12nm及N+1等技术均已进入规模量产,7nm技术的开发也已经完成,明年四月就可以马上进入风险量产。5nm和3nm的最关键、也是最艰巨的8大项技术也已经有序展开,只待EUV光刻机的到来,就可以进入全面开发阶段”。
而此之前呢,中芯国际根本撑不起他的股价和殷殷期盼。
更为令人震惊的是,这么高等级的人事任命,竟然没有知会联席CEO梁孟松一声。
梁孟松表示,在12月9号早上,接获董事长电话告知:蒋先生即将出任公司副董事长一职。
“对此,我感到十分错愕与不解,因为我事前对此事毫无所悉。我深深的感到已经不再被尊重与不被信任。我觉得,你们应该不再需要我在此继续为公司的前景打拼奋斗了。我可以暂时安心地休息片刻。”
联系到2011年中芯国际的内斗,时任CTO杨士宁与CEO王宁国爆发冲突,最终两人都离开了中芯国际,导致中芯国际进入到了长达五年的动荡期。
而联想到现阶段国际贸易的大背景,此番人事调整,很有可能成为又一个动荡的导火索。
而梁孟松所说的一句话,最为打动人:
“我来中国大陆本来就不是为了谋取高官厚禄,只是单纯的想为大陆的高端集成电路尽一份心力。”
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说实话,看到这份公开的薪酬表之后,梁孟松说他来大陆不是为了钱而来的,我是相信的,哪怕很多人会说,他还有期权,还有股份,还有这还有那,但是不要忘记,他对中芯国际的技术及做出的贡献。
一些杂念
在台湾地区,大部分民众普遍对梁孟松极度不满、痛恨,斥责其为“叛徒”、“叛将”、“半导体吕布”、及“现代版三姓家奴”,对于一个博士、技术天才,一个心高气傲的科学家来说,背负这样的骂名,对于我们来说,是不可想象的。
如果不是一股对于技术的信仰,对于理想的实现,以及对于技术追求的深层次的观念,在现代社会,不会有人充当这样的一个角色。
对于中国的半导体行业,对于正在追赶中的中芯国际来说,权谋解决不了发展。
2011年的内斗,皆因以大唐电信为主的董事会、股东与台系研发技术为主的技术团队,出现了不可调和的矛盾而爆发,爆发之后,由邱慈云接手才趋于缓和,但是最终双方的代表人物都被迫离开。
对于一家上市公司来说,管理层变动是家常便饭,但是不合理的变动,则会被解读为“内斗”。
比如这次的蒋尚义回宫,梁孟松可能出现的出走,搞不好台系的技术团队都会出现大面积离职潮。
2017年10月,加入中芯国际时,梁孟松从三星带走了多位台籍和韩籍工程师到中芯,但其最依重的随他从台积电跳槽至三星的六人却只有黄国泰一人到中芯,其余五人均婉拒梁孟松之邀:侯永田任职格芯新加坡厂;陈建良也一度转任职格芯,后转赴台湾联电;万文恺任职联发科的研发部门;郑钧隆传出任职美商半导体公司;夏劲秋则担任了中国大陆新成立的云芯国际集成电路制造有限公司董事。
而中国半导体行业的发展,几乎每一个半导体公司,都离不开台系的技术人员,无论大小。
这些人在中国半导体公司中的作用,大到一个人、一个团队往往会影响一个团队,一个公司,甚至一个产业。
而恰好梁孟松就是这样的人才,从离开台积电后的发展看,蒋尚义明显不如梁孟松那样耀眼和焕发活力。
最为主要的是,蒋尚义答应张忠谋,不做会伤害台积电的事,“包括不会帮中芯挖角台积的现有员工,也不会建议中芯做针对台积不利的事,我会记得并遵守这个承诺。”
那么,对于立志要做中国版台积电的中芯国际来说,蒋尚义到来的意义是什么呢?
现阶段而言,蒋尚义的加盟,已经是板上钉钉的事情,至于梁孟松的出走,想到2009年的毅然决然,和前往三星后的意气风发,以及来到中芯国际后的奋力直追,梁孟松给人的想象更大。
希望梁孟松,不要再成为大唐系股东权力斗争的牺牲品,中国需要这样的技术国宝,中国半导体行业的发展,权谋带不来。
梁孟松说:中芯国际正面临着美国的种种打压,导致先进工艺的发展受到严重威胁,“我认为,今天这个人事提案必然会关系到公司的前景”。
这是告诫,也是威胁。