台积电3nm工艺今年将进入风险生产阶段，明年下半年投产

台积电的5nm工艺去年就已经成功投产，目前还处于产能爬坡阶段，而他们的下一步目标就是3nm工艺，根据台积电的计划，今年就有望进入风险生产阶段，而2022年下半年就可实现批量生产。

来自Digitimes的报道，台积电CEO魏哲家在近日的财报电话会议上表示，台积电的N3工艺进展良好，与N5和N7的相同阶段相比，现在N3在HPC与智能手机应用的客户参与度要高得多。

台积电对N3工艺的资本支出目标定位250到280亿美元，远高于市场观察家所预计的200到220亿美元。魏哲家表示，由于技术的复杂性，台积电的资本支出强度依然很高，在EUV光刻机设备上的投入是资本支出增加的部分原因。但现在更高的支出可换来未来更好的增长，台积电已经把2025年的收入复合增长率目标提高到10%到15%。

在本次电话会议上他还透露，台积电的3D SoIC封装技术将在2022年投入生产，该技术将首先用于HPC领域，预计这些后端服务的收入将会在未来几年内以高于公司平均水平的速度增长，其实台积电近几年都在推广他们的3DFabric系列封装，包括CoWoS和InFO 3D堆栈，以及用于3D异构集成的SoIC。

至于被问到台积电的支出增加是否为了满足Intel的外包需求时，魏哲家表示他们不会对未定下来的客户和订单发表评论。