最近网络上盛传一则消息，中国激光巨头大族激光成功研发出光刻机，其中核心器件的国产化率更是达到了90%，仿佛国产光刻机产业一夜“走进新时代”，打破外国的技术垄断，迎来新的曙光。但事情的真相真是如此吗？
众所周知，光刻机是芯片生产线中最关键的核心设备之一，对技术、工艺、原材料的要求极高。但是芯片制造是个高度集中化的行业，很容易出现“赢家通吃”的局面，目前全球光刻机行业的主流供应商只有三家，分别是荷兰ASML、日本的佳能和尼康。
其中ASML掌握极紫外光刻机（EUV）的生产技术，佳能和尼康只能生产深紫外光刻机（DUV）。我国目前已经量产的最先进光刻机是上海微电子的90纳米光刻机，与ASML、佳能和尼康的技术代差比较大。
光刻机的先进与否，决定了芯片性能的上限，《科技日报》曾列出了35项“亟待攻克的核心技术”，排名第一的就是光刻机。因此搞定光刻机的自给自足是捍卫我国“芯片供应安全”的关键。那么大族激光研发的光刻机解决了这个需求了吗？
通过公开消息查证，大族激光在2020年5月承认正在研发光刻机，今年1月9日，有投资者询问大族激光是否考虑研发光刻机，大族激光董秘表示，“公司研发的光刻机项目分辨率3-5μm(微米)，主要聚焦在分立器件、LED等领域的应用，已实现小批量销售。”
大族激光何时开始研发光刻机不得而知，大概率是这两三年之内开始的。不过大族激光研制的光刻机对我国科技企业目前急需的高端芯片制造并无帮助。以华为海思为例，海思研发的麒麟手机芯片、鲲鹏服务器芯片、巴龙5G通信芯片等，芯片的设计性能都是世界最顶级的，只有7纳米或5纳米工艺的芯片生产线才能够生产，也只有ASML的EUV光刻机才能够胜任。
而大族激光生产的光刻机，别说与ASML的差距相当大，就是与国内光刻机供应商上海微电子相比，技术差距也是一个天上一个地下。
1978年美国GCA公司研发出了第一台自动化步进式光刻机，分辨率达到1微米，而大族激光最近生产的光刻机，分辨率在3-5微米，中间的差距大家细品一下。
说个不恰当的比喻，如果ASML的光刻机是F1赛车，那大族激光的光刻机就是“老头乐”。
至于部分媒体所说的“90%国产化”，笔者未查到可靠的信息源，即便如此，也不值得激动和兴奋，中国造不了“F1赛车”，难道还造不了“老头乐”？
因此攻克光刻机的任务依旧任重而道远，在这方面，“国家队”已经展开了相关科研任务布局，据了解，目前国家已指派中国电科、长春光机所和上海微电子进行先进光刻机的攻关，其中中国电科和上海微电子负责DUV光刻机的攻关，长春光机所负责EUV光刻机的技术攻关。
值得一提的是，长春光机所正是中科院的下属研究机构，而上海微电子又脱胎于长春光机所，两者在技术上既一脉相承，又有互补的优势。这也正应了中科院院长白春礼的承诺：要把“卡脖子”清单变为科研清单，为国家的科技和经济的发展做贡献。
上海微电子今年下半年就能量产28纳米的沉浸式光刻机，而长春光机所在2007年就启动了“极紫外光刻关键技术研究”，突破了多项EUV光刻机的核心技术，并在2017年完成了验收，下一步就是把实验室技术变成可量产的光刻机。
面对西方巨头的技术领先，中国则有“集中力量办大事”的优势，当前先解决有无的问题，再向世界领先突破。相信在未来几年里，国产光刻机产业会有更大的改变。