集微网报道，台积电今（17）日举办2022年北美技术论坛，会中揭示先进逻辑技术、特殊技术、以及三维集成电路（3D IC）技术的最新创新成果。首度推出采用纳米片电晶体的下一世代先进N2制程技术，以及支持N3与N3E制程的TSMC FINFLEX技术。
TSMC FINFLEX技术
台积电指出，今年下半年量产的N3技术采用TSMC FINFLEX技术，这项技术提供了不同标准单元的选择，其中3-2鳍配置可实现超性能，2-1鳍配置可实现最佳功率效率和晶体管密度，2-2鳍配置可在两者之间实现平衡高效的性能。
凭借TSMC FINFLEX架构，客户可以创建片上系统设计，通过功能块实现针对所需性能、功率和面积目标的最佳优化鳍配置，并集成在同一芯片上，从而针对他们的需求进行精确调整。
据悉，台积电N3技术将有四种衍生制造工艺——N3E、N3P、N3S 和 N3X，旨在为超高性能应用提供改进的工艺窗口、更高的性能、增加的晶体管密度和增强的电压。所有技术都将支持 FinFlex技术，极大地增强了设计灵活性，并允许芯片设计人员精确优化性能、功耗和成本。
N2技术2025年量产
台积电N2技术和N3技术相比，功效大幅往前推进。在相同功耗下，速度增快 10~15%，或在相同速度下，功耗降低 25~30%。
台积电表示，N2 将采用纳米片晶体管架构，在性能和功率效率方面提供全节点改进，以支持台积电客户的下一代产品创新。除了移动计算基准版本之外，N2 技术平台还包括一个高性能变体，以及全面的小芯片集成解决方案。N2计划于2025年开始生产。
正在开发N6e超低功耗平台
据了解，N6e超低功耗平台N12e 技术的下一个演变，旨在提供边缘人工智能和物联网设备所需的计算能力和能源效率。N6e 将基于台积电先进的7nm工艺，预计逻辑密度是 N12e 的三倍。它将作为台积电超低功耗平台的一部分，该平台是针对边缘人工智能和物联网应用的综合逻辑、射频、模拟、嵌入式非易失性存储器和电源管理 IC 解决方案组合。
3D Fabric取得新进展
台积电公布3D Fabric平台取得的两大突破性进展，一是台积电已完成全球首颗以各应用系统整合芯片堆叠(TSMC-SoICTM)为基础的中央处理器，采用芯片堆叠于晶圆之上(Chip-on- Wafer, CoW)技术将SRAM堆叠为3级缓存；二是使用 Wafer-on-Wafer (WoW) 技术堆叠在深沟槽电容器芯片顶部的突破性智能处理单元。
台积电表示，由于 CoW 和 WoW 的 N7 芯片已经投入生产，对N5技术的支持计划在 2023 年进行。另外，为了满足客户对于系统整合芯片及其他台积电3D Fabric 系统整合服务的需求，在竹南打造全球首座全自动化 3D Fabric先进封装厂，预计今年下半年开始生产。
除了展示先进技术外，台积电并透露了其他重要信息，包括2024年将拥有ASML下一代芯片制造工具以及到2025年，其成熟和专业节点的产能将扩大约50%。
2024年拥有ASML最新光刻机
台积电研发高级副总裁Y.J.Mii表示：“台积电将于2024年引进high-NA EUV设备，用来开发客户所需的相关基础设施和图案解决方案，以推动创新。”
据悉，这种被称为“high-NA EUV”的工具能够产生聚焦光束，在手机、笔记本电脑、汽车和智能扬声器等人工智能设备中使用的计算机芯片上形成微观电路。
TechInsights的芯片经济学Dan Hutcheson指出，台积电在2024年拥有High-NA EUV设备的重要性意味着他们将更快获得最先进的技术。
成熟和专业节点的产能将扩大50%
台积电透露，到 2025 年，其成熟和专业节点的产能将扩大约 50%。该计划包括在中国台湾、日本和中国大陆建设大量新晶圆厂。
据悉，具体计划如下：
1.日本熊本Fab 23 第一期 。该半导体制造工厂将使用台积电的N12、N16、N22和N28节点制造芯片，并将拥有每月高达45,000片300毫米晶圆的生产能力；
2. 中国台湾台南 Fab 14 第 8 期；
3. 中国台湾高雄 Fab 22 二期；
4. 南京Fab 16 1B 期。台积电目前在中国大陆生产N28芯片，不过曾有传言称新阶段能够使用更先进的节点制造芯片。
（校对/Luna）