巡礼 2020|中芯国际:一部新世纪中国芯片制造奋斗史

每经记者:朱成祥    每经编辑:梁枭
在2020年的A股市场,中芯国际(SH688981)是最受瞩目的上市公司之一。当年6月1日,中芯国际IPO申请获受理,仅一个月时间便注册生效,7月16日成功登陆科创板。中芯国际发行价27.46元/股,上市当日以95元/股价格开盘,市值突破6000亿元。
在资本市场,中芯国际备受追捧,一时风头无两。在技术层面,中芯国际于2019年量产14纳米FinFET工艺,成为全球少数掌握FinFET技术的晶圆制造厂商。
坐拥资本市场支持,技术上又有联席CEO梁孟松坐镇,中芯国际雄心勃勃开始对行业领头羊台积电、三星发起“跳代”式追赶。彼时,在梁孟松带领下,中芯国际着手研发的N+1、N+2被业内认为接近于8纳米、7纳米。在格罗方德、联电放弃攻坚7纳米后,中芯国际几乎成为晶圆代工领域先进制程的唯一追赶者。
由于受到美国无理打压,中芯国际先进工艺的研发、量产遇到困难,公司公告中对先进工艺的披露也越来越少。不过,先进工艺只是广阔半导体市场的一部分,中芯国际在成熟工艺、特色工艺上仍有长足发展空间。
创业维艰
2000年4月,中芯国际在上海浦东正式成立。当年8月,中芯国际厂房开始在张江建设。
中芯国际创业前不久,正值美股科网股泡沫高峰期。2000年3月,费城半导体指数一度超过1300点。然而,自中芯国际成立的4月起,费城半导体指数一路向下,到2002年10月甚至跌至200点左右。作为全球半导体市场的风向标,费城半导体指数大幅下跌,无疑标志着半导体行业陷入低谷。
在国内产业配套稀缺,行业又处于低谷期之际,中芯国际逆势而上,迅速建设多座晶圆工厂。2001年,中芯国际上海8英寸生产基地建设完成;2002年,中芯国际北京12英寸生产基地奠基,并实现0.18微米的全面技术认证和量产;2003年,中芯国际收购天津摩托罗拉晶圆厂并成立中芯天津。此间,中芯国际陆续实现0.35微米~0.13微米的全面技术认证与量产。
2004年,中芯国际首次实现盈利,并于港交所与纽交所上市。此时,中芯国际已经是国际晶圆代工市场不可忽视的力量。
取得成绩的同时,专利诉讼也随之而来。2003年12月,台积电提起诉讼,称中芯国际侵犯其若干专利。2005年1月,中芯国际与台积电一度就此达成和解。
此后,中芯国际发展势头不减。2005年,台积电试产65纳米制程,2006年第四季度开始量产;中芯国际也于2007年掌握了65纳米制程,并迅速布局45纳米制程;2007年12月,中芯国际与IBM签订45纳米Bulk COMS技术许可协定。
2006年8月,台积电再度发起诉讼,理由是中芯国际违反和解协议。2009年,中芯国际与台积电达成和解。但此后,创始人张汝京离职,随后的“王杨之争”让中芯国际错过发展机遇。
芯片的发展需要一代一代不断积累。一步落后,难免步步落后。
崛起历史能否重现?
梁孟松加入后,中芯国际追赶台积电的进程迎来转机。
2017年10月,梁孟松加入中芯国际。自此,中芯国际迎来工艺制程“跳代”式发展。比如越过22纳米,从28纳米直接进入14纳米。2019年,中芯国际取得重大进展,实现14纳米FinFET量产,迈入了FinFET时代。彼时,中芯国际进一步“跳代”,跳过10纳米,直接进入8纳米、7纳米。此前,有行业人士在接受《每日经济新闻》记者采访时曾透露,中芯国际的N+1、N+2就相当于8纳米、7纳米。
然而好景不长,自2020年10月以来,中芯国际遭遇美国多轮所谓的“制裁”。为此,中芯国际战略方向已从先进工艺制程转向成熟工艺、特色工艺。公司陆续在北京、上海、深圳、天津兴建12英寸晶圆工厂。这些工厂的工艺制程均对准28纳米及以上,并不在美国所谓的“制裁”范围内。
中芯国际登陆科创板时正是芯片行业高景气时期。2020年7月,中芯国际登陆科创板,而自2020年下半年以来,半导体行业陷入“缺芯潮”。因此,尽管遭遇困难,中芯国际还是交出了多份靓丽的业绩“答卷”。
不过,进入2022年,芯片行业供求关系逆转,除了汽车电子等细分领域外,半导体行业普遍由“缺芯潮”转入“砍单潮”,2022年下半年下行趋势尤为明显。在此背景下,中芯国际产能利用率逐渐下降。2022年一季度,其产能利用率尚且高达100.4%,二季度下降至97.1%,三季度进一步下降至92.1%。
一方面,产能利用率持续下降,另一方面,四大12英寸晶圆厂正在建设。是否有足够大的市场来填补中芯国际待投产产能,尚需进一步观察。
此前,中芯国际的崛起就是在行业低谷期逆势扩张。2000年~2002年,费城半导体指数连续三年下跌,中芯国际逆势投建工厂,异军突起。如今,中芯国际在行业低谷期逆势扩张产能的剧情能否重演,值得期待。
注:FinFET,Fin Field-Effect Transistor的简称,指鳍式场效应晶体管,是一种新的互补式金氧半导体晶体管,可以改善电路控制并减少漏电流,缩短晶体管的闸长。
每日经济新闻