南韩媒体Business Korea报导，三星将在今年上半年开始量产第三代4纳米制程芯片。报道说，三星电子4纳米在发展之初良率不稳，如今在效能、功耗及面积（Performance、Power、Area；PPA）上均有进展，可望吸引大型企业客户下单。
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据三星电子12日发布的业务报告称，三星电子将在今年上半年开始量产4纳米2.3代制程芯片，这是三星首度明确提到4纳米后续版本的量产时间表。
与早期4纳米版本SF4E相比，第二、三代版本的效能较佳、省电效率较高，使用的面积也较小。SF4E制程芯片虽已商业化，良率控管却遇到极大瓶颈，导致三星最大客户高通（Qualcomm）把订单转给台积电。
不过，报道称，三星4纳米制程良率去年年初步入正轨，产能也稳定提升。业界内部人士估计，三星4纳米制程良率约有60%，尚不及台积电的70~80%，但专家认为三星良率正大幅提升、后续版本也在加速量产。
报道说，由于三星电子在先进制程提升效能和良率上大有突破，与台积电在5纳米及更先进制程的量产方面竞争可望升温。
目前最先进的半导体制程为3纳米，但仍以4纳米和5纳米制程为主。根据市场研究公司Counterpoint Research估计，去年第3季为止以4纳米和5纳米制程最高，占销售额22%，超过6纳米和7纳米的16%，以及16、14和12纳米制程的11%。
据报道，三星年前曾预测，涵盖记忆体、逻辑IC及晶圆代工业务的装置解决方案(Device Solution)部门，2023年的年收益将达13.1亿韩元。值得注意的是，2023年13.1亿韩元的年收益，仅占2022年的一半左右。分析师普遍预测，三星装置解决方案部门2022年营益将介于25~26亿韩元之间。
由于台积电在位于美国亚利桑那州的晶圆量产4纳米芯片，将计划于2024年投产。而三星也在位于德州泰勒市的晶圆厂建立一条4纳米制程的产线，预计在2024年下半年开始量产。三星的未来的目标不言而喻！
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