本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
PC DRAM 技术在不久的将来可以达到 47 GB/s 的有效带宽。
DDR5内存刚刚成为主流，JEDEC组织早已经开始筹备下一代标准DDR6的制定工作了，并披露了一些规格上的展望规划。
DDR6 RAM 模块将进行重大的内部更改，实现前所未有的速度。根据 RAM 控制器制造商 Synopsys 最近泄露的一份演示文稿，DDR6 将以 8.8 Gbps 模块首次亮相，最终可能达到 17,600 MT/s，可能扩展到理论极限 21,000 MT/s。
目前市面上最快的 DDR5 台式机模块提供 8,400 MT/s 的数据速率（DDR5-8400），未来有望推出速度更快的模块。Twitter 用户“Darkmont”分享的 JEDEC 演示文稿证实，该组织正在开发 DDR6，但仍需要在PAM 或 NRZ信号模式之间进行选择。
DDR6 芯片的运行方式与前几代不同，每个模块使用双 12 位数据通道，而不是传统的 16 位通道。虽然数据通道会更短，但 DDR6 模块会更快，单个 DDR6-17600 模块可能实现每秒 47 GB 的有效带宽。
JEDEC预计今年内完成DDR6内存标准的初步草稿，1.0正式版最快也要到2025年第二季度前后。
首个最终确定的 DDR6 JEDEC 标准预计将于 2025 年下半年推出，其中包括用于便携式系统的 LPDDR6。LPDDR5 标准现已问世五年，预计下一代低功耗 PC 内存的速度将比为台式电脑设计的 RAM 模块慢。
随着制造商和芯片制造商努力在充满复杂数字产品和数据密集型 AI 工作负载的世界中提高性能，传统的 PC 硬件范式正在发生重大变化。虽然 GDDR6 和 GDDR6X 视频内存芯片的数据速率比 DDR 模块快得多，但 DDR6 仍可以显著提高系统性能。
尽管 DDR6 标准可能会在明年最终确定，但 PC 制造商和制造商可能需要等待一段时间才能采用新技术。英特尔通常愿意比 AMD 更早地更新其 CPU 平台，但未来的 Arrow Lake 和 Panther Lake 架构可能会继续使用 DDR5 模块。
澜起科技：DDR5第三子代RCD芯片预计下半年规模出货
近日，澜起科技在接受机构调研时表示，随着DDR5在下游持续渗透，预计2024年公司DDR5第二子代及第三子代RCD芯片出货量较上年显著增加，其中DDR5第二子代RCD芯片出货量预计在2024年上半年超过第一子代产品，DDR5第三子代RCD芯片预计从2024年下半年开始规模出货。
此外，澜起科技称，从今年开始，公司多款高性能“运力”芯片新产品将逐步上量，包括PCIe5.0Retimer芯片、MRCD/MDB芯片、CKD芯片及MXC芯片等。这些新产品涉及行业前沿技术，并将受益于AI产业浪潮。澜起在前述相关领域全球领先，有望实现较高毛利率水平。新产品的逐步上量将对公司今明两年的业绩产生积极贡献。受益于AI产业趋势对相关产品需求的推动，截至2024年4月22日，公司预计在2024年第二季度交付的PCIe Retimer、MRCD/MDB及CKD芯片的在手订单金额合计已超过人民币9,000万元，上述三款AI高性能“运力”芯片呈现良好成长态势。
关于国内市场，从目前行业反馈的信息来看，PCIe Retimer芯片的需求正快速增长，由于单个GPU算力受限等因素，部署相同算力的AI服务器集群，需要配置更多的GPU或AI芯片，因此需要更多的PCIe Retimer芯片。在国内云计算/互联网厂商新采购的AI服务器项目中，基于产品性能和本土服务支持的优势，澜起的PCIe Retimer芯片更受客户青睐。同时，澜起也已成功导入境外主流云计算/互联网厂商的AI服务器采购项目，随着新项目陆续推进，公司的PCIe Retimer芯片业务呈现良好成长态势。
根据公开信息，目前全球量产PCIe 5.0 Retimer芯片的企业主要是两家，除了澜起之外，另一家是Astera Labs，该公司目前在PCIe Retimer芯片市场占据重要份额。澜起科技的PCIe Retimer芯片正在获得越来越多客户及下游用户的认可，受益于PCIe5.0生态渗透、AI服务器需求增加及市场份额提升三重因素，该产品将在未来几年为公司贡献新的业绩增长点。
中国台湾内存制造商希望 DDR4 能助力 2024 年增长
预计DDR4今年将进入生命周期的成熟阶段，从而带来销量和价格的上涨。因此，业内人士认为，中国台湾的内存制造商和无晶圆厂公司正更加重视这一市场。市场担心韩国制造商在重新集中生产精力时会停产过时的 DDR3 产品。
据业内人士透露，DDR3 向 DDR4 的转变已经开始，中国台湾内存制造商将从 2024 年开始优先考虑 DDR4 以提高收入。出货量和平均销售价格 (ASP) 的结合将有助于他们今年的增长。
消息人士称，虽然 DRAM 合同价格稳步上涨，但 2024 年上半年利基市场 DDR3 的价格涨幅仍然相当温和。
南亚科技、华邦电子、晶晨半导体（ESMT）等中国台湾内存公司在 2024 年第一季度仍处于亏损状态。
2024 年第一季度，利基内存 IC 设计公司 ESMT 亏损约 5796 万新台币（179 万美元）。与上一季度的 5.9 亿新台币亏损和去年同期的 3.7 亿新台币亏损相比，这是一个很大的改善。
ESMT也意识到，2024年中国台湾厂商将从DDR4获得新的发展前景，因为全球主要内存供应商主要集中在DDR5或HBM内存上。内存产品每两到三年就会更新一次。
目前，DDR4 已接近 DDR3 阶段的过渡，预计将推动价格和销量的上涨。据 ESMT 预测，出货量将大幅攀升，芯片平均售价也将上涨。
与 2023 年第四季度相比，专用 DRAM 芯片制造商南亚的净亏损在 2024 年第一季度大幅改善。该公司还预计第二季度 ASP 将出现两位数的增长。
专用型DRAM及闪存制造商华邦电子公布2024年第一季营运亏损，其中归属于母公司的净亏损为新台币4.64亿元，每股亏损0.11元。
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