反击“大小姐”美光

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划重点

01韩国专利管理公司Mimir IP对美国美光科技提起专利侵权诉讼,这是半导体行业发生的重大事件。

02该诉讼针对使用美光产品的公司,包括特斯拉、戴尔、惠普和联想,涉及6项专利。

03由于美光在HBM技术领域的发展落后于竞争对手,如SK海力士和三星,美光在市场份额上面临挑战。

04然而,美光已获得美国政府大量资金支持,新建大型存储晶圆厂,以提高产能和竞争力。

05美光计划在2025年下半年实现HBM4内存的开发,2028年实现HBM4E的开发。

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​近日,韩国起诉美光,令人大跌眼镜。对于美国企业,韩国向来是合作、和平大于争斗的。
韩国专利管理公司Mimir IP对美国美光科技提起专利侵权诉讼,这是半导体行业发生的重大事件。这是韩国非专利实施实体(NPE)起诉美国半导体公司的第一起案件,该诉讼于 6 月 3 日提起,还针对使用美光产品的公司,包括特斯拉、戴尔、惠普和联想。该案已提交美国德克萨斯州东区地方法院和美国国际贸易委员会 (ITC)。
众所周知,SK海力士和美光是内存市场的竞争对手。韩国正式起诉美光,是否意味着半导体霸权之战正从技术竞争扩大到专利战。Mimir IP 起诉美光的现状及其对半导体行业的广泛影响仍有待观察。
01
指谁打谁的“大小姐”
美光最近一次引起轩然大波是在中国,然而在7年前美光和中国的“缘分”已经开始了。
美光战福建晋华
2016年5月,联电宣布接受晋华委托开发DRAM制程技术,联电强电仅负责技术开发,并未进入DRAM产业或投资晋华。该合作中,由晋华支付技术报酬金,开发出的DRAM技术成果将由双方共同拥有。
2016年7月,福建晋华第一座12吋晶圆厂举行动土仪式。
2017年2月,美光控告联电违反营业秘密法,称由美光跳槽到联电的员工窃取了美光的秘密资料。
2017年12月,美光在美国加州对联电及晋华提出民事诉讼,控告两者侵害美光的DRAM专利。美光称联电通过美光台湾地区员工窃取其知识产权,包括DRAM的关键技术,并交付福建晋华。
2018年1月,福建晋华和联电向福州市中级人民法院递交诉状,起诉美光公司相关产品侵权,包括美光数款固态硬盘产品存在侵权行为,并要求美光赔偿1.96亿元人民币。
2018年10月29日,美国商务部以威胁美国国家安全为由将福建晋华加入到《出口管理条例》的实体名单中,美国公司禁止向其出售软件、技术和产品。次日,美国芯片设备厂商驻福建晋华人员全部撤出,所有设备装机、工艺调试全部终止,已下单未出货的芯片装备全部暂停出货。福建晋华厂房被迫暂时停工。
2018年11月,美国司法部起诉福建晋华、中国台湾联电,以及陈正坤等3名台湾人,指控共谋盗窃美光商业机密。福建晋华对此发布声明称:晋华集成始终重视知识产权保护工作,不存在窃取其他公司技术的行为。
2021年11月26日,联电与美光共同发布公告称,联华电子与美光科技今日宣布达成全球和解协议,将各自撤回向对方提出的诉讼,联电将向美光一次支付金额保密的和解金,双方在声明中均称,期待未来达成共同的商业合作机会。
2023年12月24日,美光科技发言人表示,美光已与福建省晋华集成电路有限公司达成全球和解协议,两家公司将在全球范围内各自撤销对对方的起诉,结束双方之间的所有诉讼。
然而美国最终还是把福建晋华放在了“实体清单”名单中。
02
反抗
哪里有压迫,哪里就有反抗,横行霸道久了,与难免“湿鞋”。
长江存储起诉美光专利侵权
中国芯片龙头企业长江存储近日在美国加州北区地方法院起诉美光科技有限公司及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司,涉嫌侵犯其8项美国专利。涉案专利涉及3DNAND存储器件、非易失性存储装置、直通阵列接触(TAC)等技术。长江存储在专利侵权起诉书中称,美光未经授权使用了其专利技术,构成了侵权行为。请求法院对美光下达产品永久禁令或向其支付专利授权费。
对于双方的诉讼官司,长江存储与美光方面均作出了回应。尽管无法透露具体细节,但长江存储表示,他们致力于保护自己的知识产权,并相信这起官司会很快得到解决。而美光则对此不予评论。
长江存储是国内最大的3D NAND Flash(闪存芯片制造)厂商。长江存储在起诉书中提到,美光使用长江存储的专利技术,以抵御来自长江存储的竞争,并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面:美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash(闪存)市场来阻止竞争和创新。
对此,有专家认为,按照目前的信息来看,长江存储几乎可以赢得这场官司。这充分展示了中国存储技术的巨大进步,也让我们看到了中国企业在面对不公平待遇时的勇敢反击。
美光被判向Netlist赔偿4.45亿美元
5月,美国德克萨斯州东区地方法院陪审团裁定,美光侵犯了Netlist的两项涉及内存模块技术的专利,需要赔偿4.45亿美元。
根据法院提交的判决书显示,美光因侵犯7,619,912专利需要赔偿4.25 亿美元,并因侵犯11,093,417专利需赔偿 2000 万美元。
在文件中,陪审团还表示,他们相信美光公司是故意侵权,这可能使 Netlist 有权要求将赔偿总额增加至多三倍。
尽管美光公司的一位发言人表示美光公司不同意陪审团的裁决,但事实胜于雄辩。
韩企也不忍了
6 月 17 日消息,据韩媒 Businesskorea 报道,韩国专利管理企业 Mimir IP 于 6 月 3 日在美向存储巨头美光发起诉讼,索赔 4.8 亿美元(约 34.92 亿元人民币)。Mimir IP 此前于 5 月从 SK 海力士手中收购了 1500 项半导体专利,本次诉讼涉及电路、电压测量设备和非易失性存储设备有关的 6 项专利。
03
四面楚歌:HBM落子太晚
如果说几次诉讼对美光的冲击是蜻蜓点水,那技术上的落后是美光面临的真正威胁。随着人工智能和高性能计算的飞速发展,对存储器的性能要求越来越高。在这样的背景下,高带宽存储器(HBM)技术应运而生,成为推动LLM行业快速发展的关键力量。目前,HBM市场以约65%的复合年增长率增长,到2026年可达到170亿至180亿美元。在HBM技术领域,海力士、三星和美光三家公司以其卓越的研发能力和创新精神,成为了这一领域的领头羊。
SK海力士是HBM先驱、技术最强,最早与 AMD 合作开发,三星紧随其后。三星和海力士垄断9成HBM市场,美光份额落后。
美光在 HBM 领域的发展并非一帆风顺。由于多种因素的影响,美光传统上在 HBM 领域处于弱势地位。美光在前期因为技术误判在 HMC 技术上投入过多资金,直到 2018 年才从 HMC 转向 HBM方向。因此,不想错过末班车的美光跳过了 HBM2,直接于 2020 年进行了 HBM2E 的量产,以后起之秀的身份进入了市场,随即加速迈过 HBM3 直接在 2023 年进行了 HBM3E 的研发,并在 2024 年 2 月份宣布开始量产 HBM3E,并应用在 SK 海力士的长期合作厂商 NVIDIA 的H200 芯片上,将在今年第二季度为 NVIDIA 供应 HBM3E 8Hi 24GB 的芯片,而 HBM3E 12Hi 36GB则已经在样本阶段了,这两种型号的带宽将超过 1.2TB/s。
今年5月底,还传出了美光的DRAM厂延期的消息。据《电子时报》报道,美光于 2023 年宣布将投资高达 5000 亿日元(32 亿美元)将 EUV 设备引入广岛。最初的目标是在 2025 年底前在那里开始量产最先进的 DRAM。最新消息表示,该工厂的建设可能会推迟两年。工厂竣工后,将生产下一代计算机内存技术1-gamma DRAM 。它还将生产用于生成式 AI 的高带宽内存 (HBM)。
SK 海力士已宣布研发 HBM4,并与台积电就 HBM4 研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录,计划从 2026 年开始批量生产 HBM 第六代产品——HBM4。SK 海力士有望采用台积电的先进逻辑工艺来提高 HBM4 的性能,针对搭载于 HBM 封装内最底层的基础裸片进行优化。台积电此前也表示,将采用 N5 和 N12FFC+工艺制造基础裸片,为 HBM4 提供更强的性能和能源效率。美光又慢一步。
美光迅速成为韩厂威胁的重要原因之一是其能效优势。美光宣称其堆叠的 24GB HBM3E 内存功耗比竞品低 30%。在 AI 需求爆发的当下,低功耗技术逐渐成为业界关注的焦点。更节能的 HBM3E 内存可降低系统发热和用电量,减少散热需求。
此外,美国渴望扩大半导体自给自足率,在这一大背景下美光获得了美国政府大量资金支持,得以新建大型存储晶圆厂。美光的美国身份也使其更容易接触英特尔和 AMD 这另外两家 AI 芯片企业,拿下更多的 HBM 订单。
在产能方面,根据 TrendForce 集邦咨询今年 3 月的研报,美光在 2023 底的 HBM 产能仅有每月 3000 片 12 英寸晶圆,占到整体市场的 3.2%。到 2024 年底,美光有望实现每月 20000 片晶圆的 HBM 产能,市场占比也大幅提升至 11.4%。
在美光未来产品方面,其单堆栈容量可达 36GB 的 12Hi HBM3E 内存已于 3 月初完成采样,计划 2025 年实现大规模量产。展望更远的 HBM4 世代,美光计划在 2025 下半年实现 HBM4 内存的开发,HBM4E 的开发完成则落在 2028 年。
美光Plan A失败,PlanB能重回霸主吗?时间会给我们答案。