消息称铠侠本月开始量产218层NAND;三星放缓汽车半导体开发,专注AI芯片;南亚科技6月营收增长36.8%

【热点速读】
1、消息称铠侠7月开始量产218层NAND Flash
2、三星放缓汽车半导体开发,专注于人工智能芯片
3、三星、英特尔和台积电增强芯片代工竞争力,背面供电技术成关键
4、南亚科技:6月营收同比增长36.8%,市况正逐季好转
5、Neosem已开始发货CXL 2.0内存检测设备
6、三星推出首款3nm智能手表 AP“Exynos W1000”
7、过去十年中国生成式AI专利申请量居全球第一



1、消息称铠侠7月开始量产218层NAND Flash

据日媒报道,铠侠7月将在四日市工厂开始量产其最先进的218层 3D NAND Flash,与现行品相比,存储容量提高约50%、写入数据时所需的电力缩减约30%。铠侠产线稼动率已在6月回升至100%。

铠侠此前曾宣布,将携手西部数据投资7,290亿日圆量产先进存储产品,位于北上工厂厂区内的新厂房将在2025年运转。

据铠侠近日公布的NAND Flash路线图显示,到2027年将实现3D NAND 1000层堆叠,这一新时间表比计划提前了四年多。NAND 技术的进步将对包括人工智能、数据中心和消费电子在内的各个领域产生深远影响,推动数据存储解决方案的未来。

2、三星放缓汽车半导体开发,专注于人工智能芯片

据韩媒报道,三星负责芯片设计的系统LSI部门正在进行业务和组织重组,将优先发展AI芯片。

此次重组导致对下一代汽车处理器“Exynos Auto”(代号KITT3)的重新考虑。之前从事该芯片开发的人员已在该部门内重新分配到AI系统级芯片(SoC)团队,该团队现在是三星设计工作的重点。目前,该部门集中了100-150名专门设计人员,致力于AI芯片设计。

三星电子相关人士表示:“公司的组织重组细节尚未最终确定。”这表明,虽然对AI芯片开发的关注点已经明确,但重组的具体细节仍在制定中。

3、三星、英特尔和台积电增强芯片代工竞争力,背面供电技术成关键

三星电子、英特尔和台积电正准备在其2nm节点上实现背面供电,以增强其在 AI 芯片市场的竞争力。背面供电将成为改变游戏规则的因素,为芯片制造商在2nm芯片市场上提供竞争优势,预计该市场明年将获得发展。

电气电子工程师协会 (IEEE) 近期表示,背面供电技术将成为 2nm 工艺节点的关键,因为该技术可以提高芯片的功率效率。背面供电是一种先进的半导体技术,通过将供电网络从硅片正面移至背面来提高供电效率。该技术尚未实现商业化。目前,所有芯片的供电均从芯片正面进行,这需要电力穿过十层或更多层布线到达晶体管。

英特尔有望成为首家利用其 PowerVia 解决方案实现背面供电商业化的芯片制造商。PowerVia 将应用于英特尔 20A 节点,该节点将于今年晚些时候投入生产。英特尔即将于今年第四季度发布的台式机 CPU Arrow Lake 也将使用英特尔 20A。

三星电子和台积电也在争取明年推出这项技术。三星已将其商业化时间表从最初计划的2027年提前到2025年。今年2月,三星电子使用两种不同的Arm微处理器内核开发背面供电,分别将芯片尺寸缩小了10% 和19%,并将芯片性能和频率效率提高了个位数。

4、南亚科技:6月营收同比增长36.8%,市况正逐季好转

南亚科技6月合并营收33.63亿元(新台币,下同),月增0.35%、年增36.83%;第二季合并营收99.21亿元,季增4.4%、年增41.18%;累计上半年合并营收194.24亿元,年增44.4%。

南亚科技称,第二季在403大地震影响下,产生部分废料,扣除保险理赔,仍需认列晶圆损失及停产的影响,对第二季获利表现还是有些压力。

南亚科技总经理李培瑛此前于股东会上表示,今年存储产业复苏关键因素在于AI服务器动能带动HBM需求大增,但HBM制造困难、良率低,会消耗较多产能,进而促进库存消化,目前市况将逐季好转。

5、Neosem已开始发货CXL 2.0内存检测设备

据韩媒报道,韩国晶圆厂设备制造商Neosem已开始向三星电子发货用于量产CXL 2.0内存的检测设备。

该设备检测支持CXL 2.0标准的内存模块的异常操作,还包括老化测试功能,可在改变温度时检查内存状态。CXL 是一种高速互连技术,可实现基于 PCI Express (PCIe) 技术的中央处理单元 (CPU)、内存和图形处理单元 (GPU) 之间的快速数据传输。

目前,支持CXL 1.1和2.0的代表性CPU是基于Intel Xeon 6 E-Core的“Sierra Forest”。业界预测,当支持基于PCIe 6.0的CXL 3.0(最高每秒256GB带宽)的产品正式发布时,CXL市场将迎来全面爆发。英特尔计划在Diamond Rapids中支持CXL 3.0,这是一款计划于明年下半年量产的新型服务器CPU。

6、三星推出首款3nm智能手表 AP“Exynos W1000”

三星推出新款可穿戴芯片Exynos W1000。采用三星3纳米GAA工艺,将应用在即将发布的Galaxy Watch 7。

Exynos W1000其CPU由一个Arm Cortex-A78核心(频率为1.6GHz)和四个Arm Cortex-A55核心(频率为1.5GHz)组成,提供了强大的计算能力。与前一代Exynos W930相比,Exynos W1000在单核和多核性能上分别提升了3.4倍和3.7倍。

GPU方面,Exynos W1000配备Mali-G68 MP2 GPU,能够支持qHD(960×540)或640×640分辨率的显示屏,为用户提供了更优质的视觉体验。

Exynos W1000还采用目前最先进的封装技术,包括FO-PLP和SiP-ePoP解决方案,将电源管理IC、内存和存储器集成到一个紧凑的封装中,从而减少了对PCB空间的占用。Exynos W1000支持LPDDR5内存,并集成了32GB eMMC,同时支持蓝牙LE音频、NFC和Wi-Fi等无线连接功能。

7、过去十年中国生成式AI专利申请量居全球第一

据世界知识产权组织发布的《生成式人工智能专利态势报告》显示,2014年至2023年,中国发明人申请的生成式人工智能专利数量最多,远超美国、韩国、日本和印度等国。

2014-2023年,全球生成式人工智能相关的发明申请量达54000件,其中超过25%是在去年一年出现的。生成式人工智能允许用户创建文本、图像、音乐和计算机代码等内容,为一系列工业和消费产品提供动力。2014年至2023年间,中国的生成式人工智能发明超过3.8万件,是排名第二的美国的6倍。