金融界 2024 年 8 月 29 日消息，天眼查知识产权信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一种用于改善氧化层倾覆问题的刻蚀方法“，公开号 CN202410474735.1，申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示，本申请公开了一种用于改善氧化层倾覆问题的刻蚀方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括存储区和外围逻辑区，所述衬底表面形成有氮化硅层，所述氮化硅层上形成有保护氧化层；采用光刻和干法刻蚀工艺，去除位于所述外围逻辑区中的保护氧化层和部分氮化硅层；在所述保护氧化层表面和剩余的所述氮化硅层表面沉积隔离氧化层；采用无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述隔离氧化层，以形成隔离结构，所述隔离结构位于存储区中的保护氧化层以及氮化硅层靠近外围逻辑区的侧壁；采用湿法刻蚀工艺，去除所述外围逻辑区中剩余的氮化硅层。本申请通过上述方案，能够解决相关技术中记忆多晶硅刻蚀流程中，顶部的保护氧化层出现倾覆的问题。

华虹半导体（无锡）申请一种用于改善氧化层倾覆问题的刻蚀方法专利，能够解决相关技术中记忆多晶硅刻蚀流程中顶部保护氧化层出现倾覆的问题