金融界 2024 年 8 月 28 日消息，天眼查知识产权信息显示，上海维安半导体有限公司取得一项名为“一种基于 P-型 SOI 衬底的 TVS 保护器件及其制造方法“，授权公告号 CN111029399B，申请日期为 2020 年 1 月。
专利摘要显示，本发明一种基于 P‑型 SOI 衬底的 TVS 保护器件，采用 P‑型 SOI 衬底硅片，由金属框架封装，P‑型 SOI 衬底自下而上包括 P‑衬底、氧化埋层和 P‑层，有 IO 端、VCC 端、接地端三端，可以同时保护电路中的 IO 信号端和电源 VCC 端，P‑层上的降电容二极管一、二由正面的 P‑/N‑结形成，主 TVS8 管由背面的三个 N+/P‑衬底阵列形成。本发明在正面和背面同时制作器件，因此单个器件的版图面积较小，有利于提高产量，降低成本，二个降电容二极管具有很低的电容值并彻底消除了衬底寄生电容，更适合在高频接口如 HDMI2.0、USB3.0 等高速端口使用。背面的 TVS 管能够通过更大的浪涌电流。