华金证券:制程微缩叠加3D趋势 刻蚀设备市场空间持续拓宽

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智通财经APP获悉,华金证券发布研报称,随着线宽的持续减小和3D集成电路的发展,刻蚀设备已跃居集成电路采购额最大的设备类型。SEMI数据显示,全球刻蚀设备市场规模约210.44亿美元,占晶圆制造设备总市场规模的22%。Gartner预计,2018-2025年中国大陆新建晶圆厂项目为74座,位居全球第一。下游明确的扩产趋势,叠加半导体全产业链迫切的国产化需求,国产刻蚀设备迎来发展良机。此外,器件结构多维度升级同步刺激需求。

受益制程微缩&3D趋势,刻蚀设备成为第一大半导体设备。随着线宽的持续减小和3D集成电路的发展,刻蚀设备已跃居集成电路采购额最大的设备类型。SEMI数据显示,全球刻蚀设备市场规模约210.44亿美元,占晶圆制造设备总市场规模的22%。由于刻蚀工艺复杂、技术壁垒高,全球刻蚀设备市场集中度高;华经产业研究院数据显示,2021年全球刻蚀设备CR3超90%。

CCP受益3D发展趋势,制程微缩推动ICP需求增长。干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术,可分为电容性等离子体刻蚀(CCP)和电感性等离子体刻蚀(ICP)两大类。CCP适用刻蚀硬介电材料以及孔/槽结构,其需求主要来自3D NAND等3D结构发展的推动;ICP适用于刻蚀硬度低或较薄的材料以及挖掘浅槽,因此线宽持续减少是ICP需求主要推动力。中微公司北方华创是国产刻蚀设备龙头,分别在CCP和ICP领域占据领先地位。

下游扩产趋势明确,器件结构多维度升级刺激需求。根据SEMI数据,中国大陆已连续四年成为全球最大半导体设备市场。Gartner预计,2018-2025年中国大陆新建晶圆厂项目为74座,位居全球第一。下游明确的扩产趋势,叠加半导体全产业链迫切的国产化需求,国产刻蚀设备迎来发展良机。器件结构多维度升级同步刺激需求。1)3D NAND/DRAM:高深宽比结构制造常采用CCP刻蚀设备。2)逻辑:GAA晶体管制造需要准确且高选择性的SiGe各向同性刻蚀;通过刻蚀设备采用多重曝光技术成为我国突破光刻极限关键手段。3)互连:HBM等多芯片堆叠结构以及背面供电架构均需构建TSV;深孔刻蚀是TSV的关键工艺,其中Bosch刻蚀是首选技术,通常选择ICP刻蚀设备。

建议关注标的:泛林集团(LRCX.US)、东京电子应用材料(AMAT.US)三家全球半导体设备头部企业均实现了刻蚀、薄膜沉积等多产品线的布局,因此华金证券认为平台化建设走在前列的企业更具竞争优势。北方华创(002371.SZ)致力于打造半导体设备平台型企业,布局刻蚀/薄膜沉积/清洗/热处理四大应用领域,其中ICP突破12英寸各技术节点,CCP实现逻辑/存储/功率多关键制程覆盖。中微公司(688012.SH)是国产刻蚀设备龙头,CCP设备和ICP设备应用覆盖度分别达到94%和95%,同时布局薄膜沉积等其他设备,平台化建设持续推进。

风险提示:宏观经济和行业波动风险,下游客户资本性支出波动较大及行业周期性特点带来的经营风险,下游客户扩产不及预期的风险,市场竞争加剧风险,研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险,研发方向存在偏差的风险等。