【热点速读】
1、SK海力士削减CIS研发投入，专注HBM及AI存储器开发
2、存储芯片等硬件成本攀升，年底旗舰新机迎来涨价潮
3、三星成功开发首款24Gb GDDR7 DRAM，计划明年年初实现商业化
4、韩国将为芯片产业提供近65亿美元财政支持
5、9月日本半导体制造设备出口额同比大增26.3%
6、Rebellions 与 Arm 合作开发 AI CPU芯片
1、SK海力士削减CIS研发投入，专注HBM及AI存储器开发
据韩媒zdnet korea报道，SK海力士正在削减其商业性较低的图像传感器和代工业务，加强专注于高利润的高带宽存储器（HBM）和AI存储器。
消息人士透露，SK海力士正在削减其CMOS图像传感器（CIS）研发投入，产能预计较去年减少一半以上，至每月不足7000片12英寸晶圆。此外，负责设计存储控制器等的片上系统（SoC）设计部门的人员也被转移并重新分配到HBM部门。
SK海力士战略是缩减部分业务，专注于收益性高的HBM。此外，SK海力士还关注CXL、PIM以及AI SSD等，这些产品作为未来的增长引擎而备受关注。
半导体业界相关人士表示，“HBM产线一旦建成，只需三个月就能产生ROI（投资资本回报率），从公司的角度来看，集中投资需求高、收益性高的HBM是理所当然的选择。”
SK海力士还缩减了其代工业务。SK海力士旗下8英寸代工子公司SK System IC于5月将其代工（半导体代工生产）业务49.9%的股权移交给无锡产业发展集团。未来SK海力士计划通过其8英寸代工子公司SK Key Foundry专注于生产高利润的战略半导体。
2、存储芯片等硬件成本攀升，年底旗舰新机迎来涨价潮
vivo日前发布vivo X200系列旗舰手机，全系首发搭载天玑9400旗舰平台，由台积电第二代3nm制程工艺制造，采用全新Arm Cortex-X925超大核CPU，由1×3.626 GHz Cortex-X925+3×3.3 GHz Cortex-X4+4×2.4 GHz Cortex-A720组成，主频最高可达3.626GHz，GPU则采用了Immortalis-G925架构。此外，vivo X200还全系搭载了LPDDR5X四通道内存以及UFS 4.0闪存。
对比vivo X200系列和其上一代X100系列售价，可以看到，相同存储配置下，售价上涨了300-500元不等。
数据来源：公开信息，CFM闪存市场整理
小米中国区市场部副总经理、Redmi 品牌总经理王腾日前称，“今年旗舰涨价主要是两方面因素，一是旗舰处理器升级最新3nm制程，工艺成本大幅增加；另一方面是内存经过持续一年的涨价，已经到了高点，所以大内存的版本涨幅更大。去年底内存是个历史低点，当时说过大内存且买且珍惜。"他进一步表示，"年底这一波旗舰定价都挺难的，每一款好产品都值得被鼓励。”
不过，下半年以来，嵌入式存储价格已见顶并转跌。据CFM闪存市场分析，因部分DRAM原厂的LPDDR4X产能快速爬坡，8GB以下LPDDR4X供应严重溢出价格下跌，且部分终端降配意愿强烈，入门级机型的LPDDR4X供应格局或将出现较大变化。另一方面，虽然原厂HBM及 DDR5正在挤占部分DRAM先进产能，但随着LPDDR4X和LPDDR5X价差走扩，终端对LPDDR5X涨价接受度低迷，整体来看，嵌入式存储ASP面临下修挑战。
消息称，高通旗舰芯片骁龙8 Gen4在2024年下半年出货量预估为900万颗，相较骁龙8 Gen3出货同比增长50%，单价上涨20%至190美元，最高定价或达240美元。而联发科天玑9400同样将涨价20%至155美元，这一变化的主要原因在于台积电N3E第二代3nm制造工艺的生产成本上升，直接影响了芯片的最终价格和手机厂商的成本结构。
随着联发科发布旗舰处理器天玑9400，除了vivo X200系列，OPPO也宣布将在10月24日发布搭载天玑9400的旗舰机OPPO Find X8系列。高通将于10月21日发布骁龙8 Gen4处理器，小米10月28日发布首发搭载高通骁龙8至尊版处理器的小米15系列新机，荣耀、一加也将在本月发布各自的最新旗舰机型。
在硬件成本攀升的影响下，预计年底旗舰新机将集体迎来涨价浪潮，部分高端机型入门价格将达到4000至5000元，高配版本甚至突破5500元，这将考验手机厂商的市场策略和消费者的购买力，国产品牌如小米、vivo和OPPO等将如何应对则成为市场关注的焦点。
3、三星成功开发首款24Gb GDDR7 DRAM，计划明年年初实现商业化
10月17日，三星电子宣布已完成首款24Gb GDDR7 DRAM的开发，将用于PC和游戏机等现有图形DRAM应用之外的各种领域，以及AI工作站等需要高性能产品的领域和数据中心。
24Gb GDDR7采用了第五代10纳米级DRAM制程技术，在相同封装尺寸下提高了电池集成度，与之前的产品相比，容量增加了50%；通过脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，使其速度在图形DRAM中达到40Gbps，根据使用环境的不同，其性能可进一步提升至最高42.5Gbps。
该产品还首次引入适用于重视低功耗特性的移动产品的技术，将电源效率提高了30%以上。通过采用“时钟控制技术”和“电力双重化设计”等技术，以减少不必要的电力消耗。同时应用“电源门控设计”技术，在高速运行时也能将电力泄漏降至最低，从而进一步增强了稳定性。
三星表示，“公司于去年7月首次成功开发16Gb GDDR7 DRAM，巩固了其在图形DRAM市场的技术领先地位；随着市场快速增长，我们将通过推出高容量、高性能的产品继续引领市场。”
三星电子计划年内开始在主要GPU客户的下一代AI计算系统中验证24Gb GDDR7 DRAM，并于明年年初实现该产品的商业化。
今年年中，美光和SK海力士也相继公开新一代GDDR7产品最新进展。今年6月初，美光宣布其下一代GDDR7图形内存产品已进入样品阶段，基于Micron的1β（1-beta）DRAM技术和创新的架构设计，内存性能速率高达32Gb/s，系统带宽超过1.5TB/s，较GDDR6提升了60%，能效上也提高了50%以上；7月底，SK海力士也宣布推出高性能新一代显存产品GDDR7，运行速度高达32Gbps，其与前一代相比提高了60%以上，根据使用环境速度最高可达40Gbps，可支持每秒1.5TB以上的数据处理；能效与前一代相比提升了50%以上，计划于今年第三季度开始量产。
4、韩国将为芯片产业提供近65亿美元财政支持
韩国财政部最新表示，韩国政府将在明年之前为半导体行业提供价值8.8万亿韩元（约合64.7亿美元）的低息贷款和其他支持，以增强先进行业的竞争力。
这是韩国今年6月在全球竞争加剧背景下宣布的价值26万亿韩元综合支持计划的一部分，旨在支持韩国的关键产业。
根据该计划，到 2025年，韩国政府将通过向芯片制造商提供低息贷款以及旨在协助无晶圆厂和芯片材料公司的融资计划提供4.7万亿韩元，以促进整个行业生态系统。
同时，2025年将额外拨出1.7万亿韩元的预算，开展大规模研发项目，以确保芯片云计算和封装等领域的先进技术，并实施人才培养计划。
此外，韩国将投入约2.4万亿韩元用于京畿道龙仁市拟建的半导体集群的基础设施建设。韩国正着力在龙仁打造全球最大的芯片集群，三星电子、SK海力士等计划共计投资622万亿韩元，建设16座新晶圆厂。
5、9月日本半导体制造设备出口额同比大增26.3%
据日本财务省17日公布统计数据显示，因出口陷入萎缩，2024年9月份日本贸易逆差额为2,943亿日圆(去年同月为顺差605亿日圆)、连续第3个月陷入逆差。
其中，9月份日本出口金额因汽车(减少9.2%)、矿物性燃料(大减49.8%)和营建用/矿山用机械(大减33.3%)等产品出口减少而较去年同月下滑1.7%至9兆382亿日圆，10个月来首度陷入萎缩，但出口额仍创下历年同月历史次高水准。9月份日本半导体等制造设备出口额较去年同月大增26.3%，其中，日本对中国的半导体等制造设备出口额较去年同月大增16.8%。
9月份日本进口金额因电算机类(含周边机器、大增35.6%)、半导体等电子零件(增加11.4%)和医药品(增加9.1%)等产品进口增加而较去年同月成长2.1%至9兆3,325亿日圆，连续第6个月呈现增长，进口额创下历年同月历史次高水准。
6、Rebellions 与 Arm 合作开发 AI CPU芯片
韩国AI芯片设计初创公司Rebellions表示，正与ARM、三星电子和ADTechnology合作开发新的AI中央处理单元（CPU）芯片。
此次合作旨在为云、HPC 和 AI/ML 工作负载提供解决方案，将 Rebellions 的 AI 加速器与 ADTechnology 的计算芯片相结合，使用三星电子的2纳米Gate-All-Around (GAA) FET 技术实现。该平台预计将为生成式AI工作负载提供显著的效率提升，据估计，对于具有4050亿个参数的 LLM（如 Llama3.1），其效率将比标准 CPU 设计提高 2-3 倍。
Rebellions计划在今年年底前量产Rebel Quad AI芯片。该芯片基于三星电子代工4纳米工艺，搭载4颗三星12层 36GB HBM3E，内存容量可扩展至144GB，预计能够实现高达4.8TB/s的带宽，可为ChatGPT等生成式AI服务器提供高性能计算支持，同时解决AI数据中心公司关注的功耗问题。