金融界2024年10月19日消息，国家知识产权局信息显示，上海劢珑科技有限公司申请一项名为“一种压电薄膜元件及MEMS器件”的专利，公开号CN 118785803 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种压电薄膜元件及MEMS器件，涉及MEMS技术领域。本申请提供一种压 电薄膜元件，包括基底和设 置在基底上的多个电极层，相邻两个电极层之间设有 压电层，压电层为掺钪氮化 铝层；靠近基底的两个电极 层之间的压电层的掺钪浓度低于其他压电层的掺钪浓度。上述压电薄膜元件能够通 过设置多层掺钪浓度沿层叠方向呈梯度变化的压电层，使 压电薄膜元件更易成型，提高了压电薄膜元件的厚度；掺钪浓度呈梯度设置使压电层均一性高，析出物少，从而提高了 压电薄膜元件的压电性能。